该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。MicroFET1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

• VGS = -4.5 V，ID = -2.3 A时，最大rDS(on) = 142 mO
• VGS = -2.5 V，ID = -1.8 A时，最大rDS(on) = 213mO
• VGS = -1.8 V，ID = -1.5 A时，最大rDS(on) = 331mO
• VGS = -1.5 V，ID = -1.2 A时，最大rDS(on) = 530mO
• 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
• 不含有卤化合物和氧化锑
• HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDME1023PZT	量产-ROHS：截至2009年7月	$0.247

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