该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。MicroFET1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

• VGS = -4.5 V，ID = -2.3 A时，最大rDS(on) = 142 mO
• VGS = -2.5 V，ID = -1.8 A时，最大rDS(on) = 213mO
• VGS = -1.8 V，ID = -1.5 A时，最大rDS(on) = 331mO
• VGS = -1.5 V，ID = -1.2 A时，最大rDS(on) = 530mO
• 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
• 不含有卤化合物和氧化锑
• HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDME1023PZT	量产-ROHS：截至2009年7月	$0.247

• FDD3682_F085 - 100 V、32 A、32 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench
• FSCQ1565RT - 用于 170 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
• FAN23SV65AMPX - 15 A 同步降压调节器
• FDV305N - 20V N沟道PowerTrench MOSFET
• MMBT3904SL - NPN 外延硅晶体管
• FSFA2100 - 用于 450 W 半桥式非对称转换器的集成电源开关 (FPS)
• FCA47N60F - N 沟道 SuperFET FRFET MOSFET 600V, 47A, 73mΩ
• ISL9R3060G_F085 - 600 V、30 A、2.0 V、TO-247（2 引脚）Stealth 整流器
• FJV4114R - 带偏置电阻的 PNP 外延硅晶体管
• P6KE24A - 600W瞬态电压抑制二极管