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Fairchild产品 - FDME410NZT介绍

FDME410NZT - 20V N沟道PowerTrench MOSFET

FDME410NZT是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDME410NZT是20V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDME410NZT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDME410NZT相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDME410NZT - 20V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDME410NZT - 产品描述

该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺设计而成，用于优化VGS=1.5V时专用MicroFET引线框上的rDS(on)。

FDME410NZT - 产品特性
  • VGS = 4.5 V，ID = 7 A时，最大rDS(on) = 26mΩ
  • 最大值 rDS(on) = 31 mΩ（VGS = 2.5 V, ID = 6 A）
  • 最大值 rDS(on) = 39 mΩ（VGS = 1.8 V, ID= 5 A）
  • 最大值 rDS(on) = 53 mΩ（VGS = 1.5 V, ID = 4A）
  • 薄型：0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  • 不含有卤化合物和氧化锑
  • HBM 静电放电保护等级为>1800V（注 3）
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDME410NZT - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDME410NZT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDME410NZT量产-ROHS：截至2009年9月$0.247
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