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Fairchild产品 - FDME430NT介绍

FDME430NT - 30V N沟道PowerTrench MOSFET

FDME430NT是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDME430NT是30V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDME430NT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDME430NT相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDME430NT - 30V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDME430NT - 产品描述

该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺设计而成，用于优化专用MicroFET引线框上的RDS(ON)（VGS=1.8V时）。

FDME430NT - 产品特性
  • 最大值 RDS(on) = 40 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 6 A
    • 时）
  • 最大值 RDS(on) = 51 mΩ（VGS = 2.5 V, ID = 5 A
    • 时）
  • 最大值 RDS(on) = 71 mΩ（VGS = 1.8 V, ID = 4 A
    • 时）
  • 薄型： 最大0.55 mm，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  • 无卤素化合物和锑氧化物
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDME430NT - 产品应用

    • 手机

    以下列出了FDME430NT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDME430NT量产-ROHS：截至2012年7月$0.247
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