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FDME820NZT技术文档下载：
FDME820NZT - 20V N沟道PowerTrench MOSFET
FDME820NZT是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDME820NZT是20V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDME820NZT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDME820NZT相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDME820NZT - 20V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDME820NZT - 产品描述
该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺设计而成，用于优化VGS=1.8V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。
FDME820NZT - 产品特性
- VGS = 4.5V，ID = 9A时，最大rDS(on) = 18mΩ
- VGS = 2.5 V，ID = 7.5 A时，最大rDS(on) = 24mΩ
- VGS = 1.8 V，ID = 7 A时，最大rDS(on) = 32mΩ
- 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
- 不含有卤化合物和氧化锑
- HBM静电放电保护等级为>2.5kV（注3）
- 符合RoHS标准
FDME820NZT - 产品应用
以下列出了FDME820NZT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDME820NZT | 量产-ROHS：截至2012年6月 | $0.2465 |
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