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Fairchild产品 - FDME820NZT介绍

FDME820NZT - 20V N沟道PowerTrench MOSFET

FDME820NZT是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDME820NZT是20V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDME820NZT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDME820NZT相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDME820NZT - 20V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDME820NZT - 产品描述

该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺设计而成，用于优化VGS=1.8V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。

FDME820NZT - 产品特性
  • VGS = 4.5V，ID = 9A时，最大rDS(on) = 18mΩ
  • VGS = 2.5 V，ID = 7.5 A时，最大rDS(on) = 24mΩ
  • VGS = 1.8 V，ID = 7 A时，最大rDS(on) = 32mΩ
  • 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  • 不含有卤化合物和氧化锑
  • HBM静电放电保护等级为>2.5kV（注3）
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDME820NZT - 产品应用
    以下列出了FDME820NZT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDME820NZT量产-ROHS：截至2012年6月$0.2465
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