SPS系列是飞兆新一代完全优化的超小型集成MOSFET及驱动器功率级解决方案，可用于高电流、高频率、同步降压DC-DC应用。FDMF5820DC将一个带有自举肖特基二级管的驱动器、两个功率MOSFET和一个热监控器集成至超小型5mmx5mm封装内。

通过集成的方法对SPS开关功率级进行了优化，以实现驱动器和MOSFET动态性能、最小化系统电感，以及功率MOSFETRDS(ON)。SPS系列采用飞兆的高性能PowerTrenchMOSFET技术，可以减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。

驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟，可进一步提高性能。热监控器警告功能会发出潜在过温情况的警告。如果发生过温情况，热关断功能则会关断驱动器。FDMF5820DC还为提高轻载效率整合了自动DCM模式(ZCD#)。FDMF5820DC还提供了3态3.3VPWM输入，可实现与广泛的PWM控制器的兼容性。

• 具有 Flip Chip 低端 MOSFET 和 Dual Cool 架构的超小型 5 mm x 5 mm PQFN Copper-Clip 封装
• 高电流处理能力：60 A
• 三态 3.3 V PWM 输入栅极驱动器
• 低侧驱动 (LDRV) 的动态电阻模式可在负电感电流期间减慢低侧 MOSFET开关
• 自动 DCM（低端栅极关断）使用 ZCD# 输入
• 具有模块温度报告功能的执监控器
• 可编程的热关断 (P_THDN)
• 高侧短路故障#检测/关断
• 双通道模式使能/故障#引脚
• ZCD# 输入和 EN 输入各自的内部上拉和下拉
• 飞兆 PowerTrench MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
• 低端 MOSFET 中的飞兆 SyncFET 技术（集成肖特基二极管）
• 集成式自举肖特基二极管
• 优化的/很短的死区时间
• VCC 欠压闭锁 (UVLO)
• 为实现开关频率达到 1.5MHz 而优化
• PWM 最低可控导通时间：30 ns
• 低关断电流：<3 μA
• 优化的 FET 对以实现最高效率：10 ~ 15% 占空比
• 工作环境温度范围：-40°C 至 +125°C
• 飞兆绿色封装并符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMF5820DC	量产-ROHS：截至2013年2月	$1.89

• FQP2N90 - N 沟道 QFET MOSFET 900V，2.2A，7.2Ω
• FYP2010DN - 肖特基势垒整流器
• FAN3226T_F085 - 双通道 2 A 高速，低端栅极驱动器
• FQP3N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600V，3A，3.4Ω
• FCH76N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 76A, 36mΩ
• FDN339AN - N沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET
• FDP5N60NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 4A, 2Ω
• FGH40T65SH - 650 V、40 A 场截止沟道 IGBT
• FDB035N10A - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V, 214A, 3.5mΩ
• FGP3040G2_F085 - 400 V、26 A、1.35 V、300 mJ、TO-220EcoSPARK II、N 沟道点火 IGBT