XSDrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。FDMF6704AXSDrMOS将一个驱动IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6mmx6mmMLP封装中。通过集成驱动器和MOSFET动态性能、系统感抗和RDS(ON)，对整个开关功率级进行了优化。这极大地降低了封装的寄生效应和与传统分立解决方案相关的布局挑战。XSDrMOS采用飞兆的高性能PowerTrench5MOSFET技术，大幅降低了同步降压转换器应用中的振铃。PowerTrench5可省去降压转换器应用中的缓冲器电路。驱动器IC内置先进功能，例如提高轻负载效率的SMOD。5V栅极驱动和提高的PCB接口针对最大低端FET裸露焊盘进行了优化，以确保获得更高性能。该产品兼容新的Intel6mmx6mmDrMOS规格。

• 超紧凑型热增强6 mm x 6 mm ML封装比传统分立式解决方案小84 %。
• 同步驱动器加FET多芯片模块。
• 高电流处理能力：35 A。
• 超过93%的峰值效率。
• 逻辑电平PWM输入。
• 飞兆的PowerTrench5技术MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声。
• 针对最高可达1 MHz的开关频率进行优化。
• 跳跃模式SMOD [低端栅极关闭]输入。
• 低端MOSFET中的飞兆SyncFET [集成式肖特基二极管]技术。
• 集成自举肖特基二极管。
• 实现直通保护的自适应栅极驱动时序。
• 驱动器输出禁用功能[DISB#引脚]。
• 欠压闭锁(UVLO)。
• 飞兆绿色封装并符合RoHS标准。 薄型SMD封装。

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• TBA

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMF6704A	量产-ROHS：截至2008年6月	$1.6

• MMBT200 - PNP通用放大器
• TIP41A - NPN外延硅晶体管
• FPF2411 - IntelliMAX 带压摆率控制和 RCB 功能的额定 6 V/6 A 双向开关
• J211 - N 沟道 RF 放大器
• FDP030N06 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 60V, 193A, 3.2mΩ
• FCH47N60NF - N 沟道 SupreMOS FRFET MOSFET 600V, 45.8A, 65mΩ
• SMBJ58A - 600W瞬态电压抑制二极管
• 1N5263B - 齐纳二极管
• TIP42 - PNP外延硅晶体管
• FDB024N06 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 60V, 265A, 2.4mΩ