XSDrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。FDMF6705将一个驱动IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6x6mmPQFN封装中。

通过集成驱动器和MOSFET动态性能、系统感抗和功率MOSFETRDS(ON)，对整个开关功率级进行了优化。XSDrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrenchMOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。

死区和传播延迟缩短的新型驱动器IC进一步增强了该器件的性能。热报警功能已包括在内，对可能出现的过热情况进行报警。FDMF6705还具有其他特性，比如：可提高轻负载效率的跳频模式(SMOD)和兼容大量PWM控制器的三态PWM输入。

高于93%的峰值效率 大电流处理(43A) 高性能PQFN铜片封装 三态5V PWM输入驱动器 比FDMF6704更短的传播延迟 比FDMF6704更短的死区时间 跳频模式SMOD#（低侧门关断）输入 过温条件的热报警标志 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）) SMOD#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉 用于获得边沿整齐的电压波形并减少振铃的飞兆半导体PowerTrench技术MOSFET 低端MOSFET中的飞兆SyncFET （集成肖特基二极管）技术 集成式自举肖特基二极管 击穿保护的自适应门驱动定时 欠压闭锁(UVLO) 优化后高达1MHz的开关频率 薄型SMD封装 飞兆绿色封装和ROHS认证 基于Intel 4.0 DrMOS标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• TBA

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMF6705	量产-ROHS：截至2010年7月	$2.86

• FAN73833 - 625 V、3.3/5 V 输入逻辑兼容、0.65/0.35 A 灌电流/源电流，具有固定死区时间的半桥式栅极驱动
• FDPF10N50FT - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 500V，9A，850mΩ
• FDMS86102LZ - 100V N沟道Power Trench MOSFET
• NC7SV02 - TinyLogic ULP-A 2输入NOR门
• SMCJ26A - 1500W瞬态电压抑制二极管
• FQD6N25 - N 沟道 QFET MOSFET 250V，4.4A，1Ω
• FDLL333 - 小信号二极管
• NZT605 - NPN达林顿晶体管
• FDMC7692 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
• KA378R33 - 3A固定3.3V低压差稳压器(LDO)