XSDrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。FDMF6706C将一个驱动IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6x6mmPQFN封装中。

通过集成驱动器和MOSFET动态性能、系统感抗和功率MOSFETRDS(ON)，对整个开关功率级进行了优化。XSDrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrenchMOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。

死区和传播延迟缩短的新型驱动IC进一步增强了该器件的性能。热报警功能已包括在内，对可能出现的过热情况进行报警。FDMF6706C还具有其他功能，比如：可提高轻负载效率的跳频模式(SMOD)和兼容大量PWM控制器的三态PWM输入。

高于93%的峰值效率 大电流处理(43A) 高性能PQFN铜片封装 三态5V PWM输入驱动器 比FDMF6704更短的传播延迟 比FDMF6704更短的死区时间 跳频模式SMOD#（低侧门关断）输入 过温条件的热报警标志 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）) SMOD#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉 用于获得边沿整齐的电压波形并减少振铃的飞兆半导体PowerTrench Technology MOSFET 低端MOSFET中的飞兆SyncFET （集成肖特基二极管）技术 集成式自举肖特基二极管 击穿保护的自适应门驱动定时 欠压闭锁(UVLO) 优化后高达1MHz的开关频率 薄型SMD封装 飞兆绿色封装和ROHS认证 基于Intel 4.0 DrMOS标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• TBA

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMF6706C	量产-ROHS：截至2010年11月	$3.3

• FAN7371 - 625 V、3.3/5 V 输入逻辑兼容、4/4 A 灌电流/源电流，高端栅极驱动，及 Vdd 与 GND 和 Vb 与 Vs 之间的 25 V 并联调节器
• MM5Z22V - 齐纳二极管
• H11N2M - 6引脚DIP低输入电流施密特触发器输出光电耦合器
• FCP36N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 36A, 90mΩ
• FFPF20UP60DN - 20 A、600 V 超快速双二极管
• FGPF15N60UNDF - 600V，15A，短路额定IGBT
• FAN4802L - CCM PFC + PWM 组合控制器
• FFPF10UA60ST - 10 A、600 V 超快速 II 代二极管
• 74LCXR2245 - 低压双向收发器在A和B端口都有5V容差输入和输出以及26 Ohm串联电阻
• CNY17F3M - 6 引脚 DIP 高 BV_CEO光电晶体管输出光电耦合器