XSDrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。FDMF6707B将一个驱动IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6x6mmPQFN封装中。

通过集成驱动器和MOSFET动态性能、系统感抗和功率MOSFETRDS(ON)，对整个开关功率级进行了优化。XSDrMOS采用飞兆的高性能PowerTrenchMOSFET技术，显著地降低了开关振铃噪声，从而无需在大部分降压转换器应用中使用缓冲电路。

死区时间和传播延迟缩短的新型驱动IC进一步增强了该器件的性能。热警告功能会发出潜在过温情况的警告。FDMF6707B还具有其他功能，比如：可提高轻负载效率的跳频模式(SMOD)和兼容大量PWM控制器的三态3.3VPWM输入。

超紧凑6x6mm PQFN、与传统分立解决方案相比节约了72%的空间 全面优化了系统效率 具有最小振铃的干净开关波形 高电流处理能力 高于93%的峰值效率 高电流处理能力（50A） 高性能PQFN铜片封装 三态3.3V PWM输入驱动器 跳频模式SMOD#（低侧门关断）输入 过温条件的热报警标志 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）) SMOD#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉 飞兆PowerTrench@技术MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声 低端MOSFET中的飞兆SyncFET （集成肖特基二极管）技术 集成式自举肖特基二极管 击穿保护的自适应门驱动定时 欠压闭锁(UVLO) 优化后高达1MHz的开关频率 薄型SMD封装 飞兆绿色封装和ROHS认证 基于Intel 4.0 DrMOS标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• TBA

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMF6707B	量产-ROHS：截至2010年9月	$3.96

• FDMS015N04B - N 沟道 PowerTrench MOSFET 40V, 100A, 1.5mΩ
• FQD7N30 - 300V N沟道QFET
• MM3Z2V4C - 2.4V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
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