XSDrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。FDMF6707C将一个驱动IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6x6mmPQFN封装中。

通过集成驱动器和MOSFET动态性能、系统感抗和功率MOSFETRDS(ON)，对整个开关功率级进行了优化。XSDrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrenchMOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。

死区时间和传播延迟缩短的新型驱动IC进一步增强了该器件的性能。热报警功能指示潜在的过温条件。FDMF6707C还具有其他功能，比如：可提高轻负载效率的跳频模式(SMOD)以及与大量PWM控制器兼容的三态5VPWM输入。

• 高于93%的峰值效率 高电流处理能力（50A） 高性能PQFN铜片封装 三态5.0V PWM输入驱动器 跳频模式SMOD#（低侧门关断）输入 过温条件的热报警标志 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）) SMOD#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉 用于获得边沿整齐的电压波形并减少振铃的飞兆半导体PowerTrench技术MOSFET 低端MOSFET中的飞兆SyncFET （集成肖特基二极管）技术 集成式自举肖特基二极管 击穿保护的自适应门驱动定时 欠压闭锁(UVLO) 优化后高达1MHz的开关频率 薄型SMD封装 飞兆绿色封装和ROHS认证
• 基于Intel 4.0 DrMOS标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMF6707C	量产-ROHS：截至2011年8月	$2.41

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