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FDMF6708N - 超小型、高性能、高频DrMOS模块
FDMF6708N是Fairchild公司的一款DrMOS FET加驱动器 多芯片模块产品，FDMF6708N是超小型、高性能、高频DrMOS模块，本站介绍了FDMF6708N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMF6708N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMF6708N - 超小型、高性能、高频DrMOS模块 - DrMOS FET加驱动器 多芯片模块 - 非隔离 DC-DC - Fairchild（仙童半导体）
FDMF6708N - 产品描述
XSDrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。FDMF6708将一个驱动IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6x6mm封装中。
通过集成方法，可实现完整开关功率级的驱动器、MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFETRDS(ON)优化。XSDrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrenchMOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。
驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟，可进一步提高性能。热警告功能会发出潜在过温情况的警告。FDMF6708N还具有可提高轻负载效率的过零检测(ZCD_EN#)功能。FDMF6708N还提供与大量PWM控制器兼容的三态5VPWM输入。
FDMF6708N - 产品特性
- 超过93%的峰值效率
- 高电流处理能力： 45A
- 高性能PQFN铜片封装
- 三态5V PWM输入驱动器
- 通过ZCD_EN#输入使能的二极管自动仿真（跳频模式）
- 为过温情况提供热警告标志
- 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）
- ZCD_EN#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉
- 飞兆PowerTrench技术MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
- 低端MOSFET中的飞兆SyncFET（集成肖特基二极管）技术
- 集成自举肖特基二极管
- 实现直通保护的自适应栅极驱动时序
- 欠压闭锁(UVLO)
- 为实现开关频率达到1MHz而优化
- 薄型SMD封装
- 飞兆绿色封装并符合RoHS标准
- 基于Intel 4.0 DrMOS标准
FDMF6708N - 产品应用
以下列出了FDMF6708N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMF6708N | 量产-ROHS：截至2011年10月 | $1.86 |
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