XSDrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。FDMF6823B将驱动器IC、两个功率MOSFET和自举肖特基二极管集成到了一个热增强的、超小型6x6mm封装中。

通过集成方法，可实现完整开关功率级的驱动器、MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFETRDS(ON)优化。XSDrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrenchMOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。

驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟，可进一步提高性能。热警告功能会发出潜在过温情况的警告。FDMF6823B还为提高轻负载效率整合了跳跃模式(SMOD#)。FDMF6823B还提供了3态5VPWM输入，可实现与广泛的PWM控制器的兼容性。

• 超过93%的峰值效率
• 高电流处理能力： 50A
• 高性能PQFN铜片封装
• 三态5V PWM输入驱动器
• 跳跃模式SMOD#（低端栅极关闭）输入
• 为过温情况提供热警告标志
• 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）
• 分别为SMOD#和DISB#输入提供内部上拉电阻和下拉电阻
• 飞兆PowerTrench技术MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
• 低端MOSFET中的飞兆SyncFET（集成肖特基二极管）技术
• 集成自举肖特基二极管
• 实现直通保护的自适应栅极驱动时序
• 欠压闭锁(UVLO)
• 为实现开关频率达到1MHz而优化
• 薄型SMD封装
• 飞兆绿色封装并符合RoHS标准
• 基于Intel 4.0 DrMOS标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMF6823B	量产-ROHS：截至2011年10月	$1.86

• FIN1531 - 5V LVDS 4位高速差分驱动器
• FDD3860 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。
• FDPF5N60NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 4.5A, 2Ω
• FDMC6675BZ - -30V P沟道PowerTrench MOSFET
• FIN1049 - LVDS双线路驱动器，带双线路接收器
• FGH75T65UP_F085 - 650 V、75 A、1.69 V、TO-247场截止 IGBT
• FSFM260 - 具有异常 OCP 功能的 650 V 集成电源开关，用于 26 W 离线反激式转换器
• FGL40N120AN - 1200 V NPT IGBT
• FDMA8878 - 30V 单 N 沟道 PowerTrench MOSFET
• FQP9N50C - N 沟道 QFETMOSFET 500 V、9 A、800 mΩ