XSDrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。FDMF6823C将驱动器IC、两个功率MOSFET和自举肖特基二极管集成到了一个热增强的、超小型6x6mm封装中。

通过集成方法，可实现完整开关功率级的驱动器、MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFETRDS(ON)优化。XSDrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrenchMOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。

驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟，可进一步提高性能。热警告功能会发出潜在过温情况的警告。FDMF6823C还为提高轻负载效率整合了跳跃模式(SMOD#)。FDMF6823C还提供了3态5VPWM输入，可实现与广泛的PWM控制器的兼容性。

• 超过93%的峰值效率
• 高电流处理能力： 45A
• 高性能PQFN铜片封装
• 三态5V PWM输入驱动器
• 跳跃模式SMOD#（低端栅极关闭）输入
• 为过温情况提供热警告标志
• 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）
• 分别为SMOD#和DISB#输入提供内部上拉电阻和下拉电阻
• 飞兆PowerTrench技术MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
• 低端MOSFET中的飞兆SyncFET（集成肖特基二极管）技术
• 集成自举肖特基二极管
• 实现直通保护的自适应栅极驱动时序
• 欠压闭锁(UVLO)
• 为实现开关频率达到1MHz而优化
• 薄型SMD封装
• 飞兆绿色封装并符合RoHS标准
• 基于Intel 4.0 DrMOS标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMF6823C	量产-ROHS：截至2011年9月	$1.595

• FQU2N90TU_AM002 - N 沟道 QFET MOSFET 900V，1.7A，7.2Ω
• USB1T1105A - 带稳压器的通用串行总线外设收发器
• FQA24N60 - N 沟道 QFET MOSFET 600V, 23.5A, 240mΩ
• TIP47 - NPN芯片晶体管
• FQB50N06L - N 沟道 QFET MOSFET 60V，52.4A，21mΩ
• HCPL0701 - 8引脚SOIC单通道低输入电流高增益分离式达灵顿输出光电耦合器
• FDMS8020 - N沟道PowerTrench MOSFET 30V，42A，2.5mΩ
• FAN5358 - 2MHz、500mA同步降压稳压器
• FAN73833 - 625 V、3.3/5 V 输入逻辑兼容、0.65/0.35 A 灌电流/源电流，具有固定死区时间的半桥式栅极驱动
• 74VHC125 - 四路缓冲器（带3态输出）