XSDrMOS系列器件是飞兆新一代完全优化的超小型集成MOSFET及驱动器功率级解决方案，可用于高电流、高频率、同步降压DC-DC应用。FDMF6824C将驱动器IC、两个功率MOSFET和自举肖特基二极管集成到了一个热增强的、超小型6x6毫米封装中。

通过集成方法，可实现完整开关功率级的驱动器、MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFETRDS(ON)优化。XSDrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrenchMOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。

驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟，可进一步提高性能。热警告功能会发出潜在过温情况的警告。FDMF6824C还为提高轻负载效率整合了跳跃模式(SMOD#)。FDMF6824C还提供了3态5VPWM输入，可实现与广泛的PWM控制器的兼容性。

• 高于 93% 的峰值效率
• 高电流处理能力： 50 A
• 高性能 PQFN 铜片封装
• 三态 5 V PWM 输入驱动器
• 跳频模式 SMOD#（低侧门关断）输入
• 为过温情况提供热警告标志
• 驱动器输出禁用功能（DISB# 引脚）
• SMOD# 输入和 DISB# 输入各自的内部上拉和下拉
• 飞兆 PowerTrench 技术 MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
• 低端 MOSFET 中的飞兆 SyncFET (集成肖特基二极管）技术
• 集成式自举肖特基二极管
• 实现直通保护的自适应栅极驱动时序
• 欠压锁定(UVLO)
• 为实现开关频率达到 1MHz 而优化
• 薄型 SMD 封装。
• 飞兆绿色封装并符合 RoHS 标准
• 基于 Intel 4.0 DrMOS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMF6824C	量产-ROHS：截至2013年4月	$1.09

• FPF2194 - 带可调节限流的全功能负载开关
• FDD6N50 - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，6A，900mΩ
• FDB016N04AL7 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 40V, 306A, 1.6mΩ
• FDG6321C - 双N&P沟道数字FET
• NC7WZ07 - TinyLogic UHS双通道缓冲器（漏极开路输出）
• FCP190N60E - N 沟道 SuperFETII Easy-Drive MOSFET 600 V、20.6A、190mΩ
• BDX34C - PNP外延硅晶体管
• MOCD217M - 8 引脚 SOIC 双沟道光电晶体管输出光电耦合器
• SMBJ14CA - 600W瞬态电压抑制二极管
• QRD1113 - 反射对象传感器