该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。控制MOSFET(Q1)和同步SyncFET(Q2)旨在提供优化的功效。

• Q1： N沟道
• VGS = 10 V且ID = 13 A时，最大RDS(on) = 8 mΩ
• 在VGS = 4.5 V且ID = 11 A时，最大值RDS(on) = 11 mΩ Q2： N沟道
• 在VGS = 10 V且ID = 23 A时，最大值RDS(on) = 2.6 mΩ
• 在VGS = 4.5 V且ID = 21 A时，最大值RDS(on) = 3.5 mΩ
• 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
• MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
• 符合RoHS标准

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• 笔记本电脑

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS3604AS	量产-ROHS：截至2010年11月	$1.32

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