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Fairchild产品 - FDMS3660AS介绍

FDMS3660AS - 30 V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench

FDMS3660AS是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMS3660AS是30 V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench，本站介绍了FDMS3660AS的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS3660AS相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMS3660AS - 30 V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMS3660AS - 产品描述

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。控制MOSFET(Q1)和同步SyncFET(Q2)旨在提供优化的功效。

FDMS3660AS - 产品特性
  • Q1： N 沟道
    • rDS(on)最大值 = 8 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 13 A
    • rDS(on)最大值 = 11 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 11 A
  • Q2： N 沟道
    • rDS(on)最大值 = 1.8 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 30 A
    • rDS(on)最大值 = 2.2 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 27 A
  • 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
  • MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMS3660AS - 产品应用
    以下列出了FDMS3660AS相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMS3660AS量产-ROHS：截至2012年10月$0.435
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