该N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已针对低栅极电荷和极低rDS(on)进行了优化。

• 最大 rDS(on) = 0.65 mΩ（VGS = 10 V、ID = 55 A
时）
• 最大 rDS(on) = 0.9 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 47 A
时）
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装组合
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS8050	量产-ROHS：截至2012年12月	$1.3

• BC857 - PNP外延硅晶体管
• FL6300A - 用于照明的准谐振电流模式PWM控制器
• 6N135M - 高速晶体管光电耦合器
• 74LCX16821 - 低压20位D型触发器（5V容许输入和输出电压）
• FPF2147 - 提供反向电流阻隔的全功能负载开关
• 2SC5242 - NPN外延硅晶体管
• MOC3010M - 6引脚DIP 250V任意相位三端双向可控硅开关驱动器输出光电耦合器
• LM319 - Dual Comparator
• MM5Z22V - 齐纳二极管
• FQP17P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60 V、-17 A、120 mΩ