该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

• 最大值 rDS(on) = 8 mΩ（VGS = 10 V, ID = 13 A）
• VGS = 6 V，ID = 9.5 A时，最大rDS(on) = 13.5mΩ
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率
• MSL1耐用封装设计
• 100%经过UIL测试
• 符合RoHS标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
PCF86101W	量产（特殊订单）-ROHS	不适用
FDMS86101	量产-ROHS：截至2008年12月	$1.13

• FQB19N20C - N 沟道 QFET MOSFET 200V，19A，170mΩ
• HCPL0600 - 高速10 Mb/s逻辑栅极光耦合器
• FQT2P25 - P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-0.55 A、4.0 Ω
• FAN6862HR - 用于 100 KHz 反激式转换器的 6 引脚绿色模式 PWM 控制器
• FSV15100V - 15 A、100 V 超低 VF 肖特基整流器
• FSGM0565RB - 具有异常 OCP 功能的 650 V 集成电源开关，用于 60 W 离线反激式转换器
• FGH40N60SM_F085 - 600 V、40 A、1.9 V、TO-247场截止 IGBT
• 74ALVC162244 - 低电压16位缓冲/线路驱动器，带3.6V容差输入和输出，输出端带26 Ohm串联电阻
• FDD6N50TM_F085 - 500 V、6 A、760 mΩ、DPAKN 沟道 UniFET
• FCB11N60 - N 沟道 SuperFET MOSFET 600V, 11A, 380mΩ