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Fairchild产品 - FDMS86102LZ介绍

FDMS86102LZ - 100V N沟道Power Trench MOSFET

FDMS86102LZ是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMS86102LZ是100V N沟道Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMS86102LZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS86102LZ相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMS86102LZ - 100V N沟道Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMS86102LZ - 产品描述

此N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

FDMS86102LZ - 产品特性
  • 在VGS = 10 V且ID = 7 A时，最大值rDS(on) = 25 mΩ
  • 在VGS = 4.5 V且ID = 5.8 A时，最大值rDS(on) = 37 mΩ
  • HBM ESD保护等级> 6 KV典型值（注4）
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMS86102LZ - 产品应用

    • 消费电子

    以下列出了FDMS86102LZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMS86102LZ量产-ROHS：截至2011年4月$0.7
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