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Fairchild产品 - FDMS86150A介绍

FDMS86150A - 100 V N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET

FDMS86150A是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMS86150A是100 V N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMS86150A的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS86150A相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMS86150A - 100 V N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMS86150A - 产品描述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

FDMS86150A - 产品特性
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大值 rDS(on) = 4.85 mΩ（VGS = 10 V, ID = 16 A
    • 时）
  • 最大值 rDS(on) = 7.8 mΩ（VGS = 6 V, ID = 13 A
    • 时）
  • 低rDS(on)和高效
    • 的高级硅封装
  • MSL1 耐用封装设计
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMS86150A - 产品应用
    以下列出了FDMS86150A相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMS86150A量产（特殊订单）-ROHS：截至2014年8月不适用
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