N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

• 扩展额定 TJ 至 175°C
• 栅极屏蔽 MOSFET 技术
• VGS = 10V，ID = 16 A时，最大rDS(on) = 4.85mΩ
• VGS = 6 V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 7.8mΩ
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 rDS(on) 和高效率
• MSL1 耐用封装设计
• 100%经过UIL测试
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• DC-DC商用电源

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS86150ET100	量产-ROHS：截至2014年11月	$1.5068

• BC850 - NPN外延硅晶体管
• P6KE9V1A - 600W瞬态电压抑制二极管
• KSD526 - NPN外延硅晶体管
• BZX84C11 - 11V、0.35W齐纳二极管
• 1N4004 - 1.0A通用整流器
• FSCQ1565RT - 用于 170 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
• FDB12N50F - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 500V，11.5A，700mΩ
• FSA201 - 多媒体、USB2.0 及音频开关
• HMHA2801 - 4 引脚半节距微型扁平光电晶体耦合器
• FCPF380N65FL1 - N 沟道 SuperFET II FRFET 650 V，10.2 A，380 mΩ