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    Fairchild产品 - FDMS86150ET100介绍
    FDMS86150ET100 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET

    FDMS86150ET100是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMS86150ET100是100V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMS86150ET100的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS86150ET100相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMS86150ET100 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMS86150ET100 - 产品描述

    N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

    FDMS86150ET100 - 产品特性
    • 扩展额定 TJ 至 175°C
    • 栅极屏蔽 MOSFET 技术
    • VGS = 10V，ID = 16 A时，最大rDS(on) = 4.85mΩ
    • VGS = 6 V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 7.8mΩ
    • 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 rDS(on) 和高效率
    • MSL1 耐用封装设计
    • 100%经过UIL测试
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMS86150ET100 - 产品应用

    • DC-DC商用电源

    以下列出了FDMS86150ET100相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMS86150ET100量产-ROHS：截至2014年11月$1.5068
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