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    Fairchild产品 - FDMS86201介绍
    FDMS86201 - 120 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET

    FDMS86201是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMS86201是120 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMS86201的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS86201相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMS86201 - 120 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMS86201 - 产品描述

    这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

    FDMS86201 - 产品特性
    • 栅极屏蔽 MOSFET 技术
    • Max rDS(on) = 11.5 mΩ（VGS = 10 V，ID = 11.6 A时）
    • Max rDS(on) = 14.5 mΩ（VGS = 6 V，ID = 10.7 A时）
    • 先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率
    • MSL1 耐用封装设计
    • 100%经过UIL测试
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMS86201 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDMS86201相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMS86201量产-ROHS：截至2010年1月$1
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