N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大rDS(on) = 56 mΩ（VGS = 10 V，ID = 4.4 A）
• 最大rDS(on) = 71 mΩ（VGS = 6 V，ID = 3.8 A）
• 最大rDS(on) = 75 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 3.7 A）
• 低rDS(on)和高效
的高级硅封装
• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS86252L	量产-ROHS：截至2013年1月	$0.51

• 74LCX08 - 低电压四通道 2 输入与门（5V容差输入）
• FDD9407L_F085 - N 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET 40 V、100 A、1.7 mΩ
• FQT5P10 - P 沟道 QFET MOSFET -100 V、-1.0 A、1.05Ω
• FCD900N60Z - N 沟道 SuperFETII MOSFET 600 V、4.5 A、900 mΩ
• D45C11 - PNP电流驱动器晶体管
• FST3253 - 双4:1复用器/解复用器总线开关
• P6KE100A - 600W瞬态电压抑制二极管
• FDD7N20TM - N 沟道 UniFET MOSFET 200V，5A，690mΩ
• FDS8882 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
• 74VHC573 - 3态输出的八路D型锁存器