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Fairchild产品 - FDMS86252L介绍

FDMS86252L - 150V N沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET

FDMS86252L是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMS86252L是150V N沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMS86252L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS86252L相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMS86252L - 150V N沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMS86252L - 产品描述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。

FDMS86252L - 产品特性
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大rDS(on) = 56 mΩ（VGS = 10 V，ID = 4.4 A）
  • 最大rDS(on) = 71 mΩ（VGS = 6 V，ID = 3.8 A）
  • 最大rDS(on) = 75 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 3.7 A）
  • 低rDS(on)和高效
    • 的高级硅封装
  • 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
  • MSL1 耐用封装设计
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMS86252L - 产品应用
    以下列出了FDMS86252L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMS86252L量产-ROHS：截至2013年1月$0.51
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