N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

• 扩展额定 TJ 至 175°C
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 12.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A
）
• 最大值 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A
）
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS86255ET150	量产-ROHS：截至2014年11月	$1.5225

• 74AUP1G98 - 双输入、低功耗、通用可配置逻辑门
• MMBTH81 - PNP RF晶体管
• SMBJ43CA - 600W瞬态电压抑制二极管
• FAN3122T - TTL 输入、单通道同相输出、11.4 A 峰值灌电流、10.6 A 源电流低端栅极驱动器
• FNA41060B2 - Motion SPM 45 系列
• FQD2N90 - N 沟道 QFET MOSFET 900V，1.7A，7.2Ω
• FDD8782 - 25V N沟道PowerTrench MOSFET
• FDB8860 - 30V N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET
• FDMS86263P - -150 V P 沟道 PowerTrench MOSFET
• FDS3512 - 80V N沟道PowerTrench MOSFET