这一N沟道MOSFET器件采用飞兆的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

• 扩展额定 TJ 至 175°C
• 最大值 rDS(on) = 2.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 25 A
）
• 最大值 rDS(on) = 3.2 mΩ（VGS = 8 V、ID = 22 A
）
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准"

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS86350ET80	量产-ROHS：截至2014年11月	$1.4921

• FAN7554 - 最高 500 kHz 的 PWM 控制器可编程频率
• FCPF600N60Z - N 沟道 SuperFETII MOSFET 600 V、7.4 A、600 mΩ
• MBRS130 - 30V/1.0A/VF = 0.6V 肖特基势垒整流器
• FDMS3016DC - N 沟道 Dual Cool 56 PowerTrench MOSFET
• FQP13N10 - N 沟道 QFET MOSFET 100V，12.8A，180mΩ
• HCPL2601 - 8引脚DIP 10 Mbit/s单通道高速逻辑栅极输出光耦合器
• SSN1N45B - 450V N沟道B-FET
• FDMS8570SDC - 25V N沟道PowerTrench SyncFET
• FDMC8327L - 40V N 沟道 PowerTrench MOSFET
• MM5Z3V3 - 齐纳二极管