这一N沟道MOSFET器件采用飞兆的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

• 扩展额定 TJ 至 175°C
• 最大值 rDS(on) = 2.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 25 A
）
• 最大值 rDS(on) = 3.2 mΩ（VGS = 8 V、ID = 22 A
）
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准"

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS86350ET80	量产-ROHS：截至2014年11月	$1.4921

• FCU900N60Z - N 沟道 SuperFETII MOSFET 600 V、4.5 A、900 mΩ
• FDMC8878 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
• KSD882 - NPN外延硅晶体管
• FAN2306MAMPX - 6 A 同步降压调节器
• FNA40860 - Motion SPM 45 系列
• SMCJ15A - 1500W瞬态电压抑制二极管
• FSFR2100 - 用于 450 W 半桥谐振转换器的 600 V集成电源开关 (FPS)
• FSL4110LR - 包含线路 OVP 但不包含偏置绕组的 1000 V 集成电源开关，用于 9 W 离线反激式转换器
• FQP55N10 - N 沟道 QFET MOSFET 100V，55A，26mΩ
• 74LCX74 - 低压双通道D型正边沿触发式触发器，带5V容差输入