飞兆先进的PowerTrench工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而量身定制的。

• 扩展额定 TJ 至 175°C
• 最大值 rDS(on) = 1.65 mΩ（VGS = 10 V、ID = 32 A
）
• 最大值 rDS(on) = 2.2 mΩ（VGS = 8 V, ID = 27 A
）
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS86550ET60	量产-ROHS：截至2014年12月	$1.4763

• FSB50660SF - Motion SPM 5 SuperFET 系列
• FPF1038 - 低导通电阻、压摆率控制负载开关
• MM3Z5V6C - 5.6V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
• FSB560 - NPN低饱和晶体管
• 74LVX02 - 低压四路2输入或非门
• NDS9952A - Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
• FQPF47P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-30A，26mΩ
• NC7WZ16 - TinyLogic UHS双通道缓冲器
• FDMA86108LZ - 单N沟道PowerTrench MOSFET
• SMBJ85CA - 600W瞬态电压抑制二极管