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Fairchild产品 - FDMS86550ET60介绍

FDMS86550ET60 - N 沟道 PowerTrench MOSFET

FDMS86550ET60是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMS86550ET60是N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMS86550ET60的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS86550ET60相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMS86550ET60 - N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMS86550ET60 - 产品描述

飞兆先进的PowerTrench工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而量身定制的。

FDMS86550ET60 - 产品特性
  • 扩展额定 TJ 至 175°C
  • 最大值 rDS(on) = 1.65 mΩ（VGS = 10 V、ID = 32 A
    • ）
  • 最大值 rDS(on) = 2.2 mΩ（VGS = 8 V, ID = 27 A
    • ）
  • 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
  • MSL1 耐用封装设计
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMS86550ET60 - 产品应用
    以下列出了FDMS86550ET60相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMS86550ET60量产-ROHS：截至2014年12月$1.4763
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