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FDN302P技术文档下载：
FDN302P - P沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET
FDN302P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDN302P是P沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDN302P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN302P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDN302P - P沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDN302P - 产品描述
此P沟道2.5V额定MOSFET采用稳固栅极版本的飞兆先进的PowerTrench工艺生产。它已针对栅极驱动电压范围(2.5V12V)广泛的电源管理应用进行了优化。
FDN302P - 产品特性
- 20 A，2.4 V。
- RDS(ON) = 0.055 mΩ @ VGS = 4.5 V
- RDS(ON) = 0.080 mΩ @ VGS = 2.5 V
- 快速开关速度
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
- SuperSOT-3提供低RDS(ON)，并且在同样的尺寸下，功率处理能力比SOT23高出30%
FDN302P - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDN302P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDN302P | 量产-ROHS：截至2011年12月 | $0.305 |
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