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Fairchild产品 - FDN327N介绍

FDN327N - N沟道1.8Vgs额定PowerTrench MOSFET

FDN327N是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDN327N是N沟道1.8Vgs额定PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDN327N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN327N相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDN327N - N沟道1.8Vgs额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDN327N - 产品描述

该20VN沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。已针对电源管理应用进行了优化。

FDN327N - 产品特性
  • 2A、20 V
  • RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = 2.5 V
  • RDS(ON) = 120 mΩ @ VGS = 1.8 V
  • 低栅极电荷
  • 快速开关速度
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDN327N - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDN327N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDN327N量产-ROHS：截至2011年12月$0.305
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