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FDN327N技术文档下载：
FDN327N - N沟道1.8Vgs额定PowerTrench MOSFET
FDN327N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDN327N是N沟道1.8Vgs额定PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDN327N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN327N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDN327N - N沟道1.8Vgs额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDN327N - 产品描述
该20VN沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。已针对电源管理应用进行了优化。
FDN327N - 产品特性
- 2A、20 V
- RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = 4.5 V
- RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = 2.5 V
- RDS(ON) = 120 mΩ @ VGS = 1.8 V
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
FDN327N - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDN327N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDN327N | 量产-ROHS：截至2011年12月 | $0.305 |
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