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FDN357N - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
FDN357N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDN357N是N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，本站介绍了FDN357N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN357N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDN357N - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDN357N - 产品描述
SuperSOT-3N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。这些器件特别适合笔记本电脑、手提电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路中的低电压应用，此类应用需要在很小尺寸的表面贴装封装中提供快速开关和低线路内功率损耗。
FDN357N - 产品特性
- 1.9 A，30 V，RDS(ON) = 0.090 Ω @ VGS = 4.5 V，RDS(ON) = 0.060 Ω @ VGS = 10 V。
- 工业标准外形SOT-23表面贴装封装采用专有的SuperSOT-3设计，具有优异的热性能和电气性能。
- 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
- 出色的导通阻抗和最大的DC电流能力。
FDN357N - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDN357N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDN357N | 量产-ROHS：截至2011年12月 | $0.88 |
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