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FDN361BN - 30V N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET
FDN361BN是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDN361BN是30V N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDN361BN的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN361BN相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDN361BN - 30V N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDN361BN - 产品描述
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态阻抗并保持卓越开关性能而定制的。此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMCIA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。
FDN361BN - 产品特性
- 1.8 A，30 V。
- RDS(ON) = 110 mΩ @ VGS = -10 V
- RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = 4.5 V
- 低栅极电荷
- 工业标准外形SOT-23表面贴装封装采用专有SuperSOT-3设计，具有优异的热性能和电气性能
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
FDN361BN - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDN361BN相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDN361BN | 量产-ROHS：截至2011年12月 | $0.199 |
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