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Fairchild产品 - FDN86265P介绍

FDN86265P - -150V P沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET

FDN86265P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDN86265P是-150V P沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDN86265P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN86265P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDN86265P - -150V P沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDN86265P - 产品描述

本P沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

FDN86265P - 产品特性
  • 最大 rDS(on) = 1.2 Ω（需 VGS = -10 V、ID = -0.8 A
    • ）
  • 最大 rDS(on) = 1.4 Ω（需 VGS = -6 V、ID = -0.7 A
    • ）
  • 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
  • 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDN86265P - 产品应用
    以下列出了FDN86265P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDN86265P量产-ROHS：截至2013年12月$0.3335
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