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FDP053N08B - N 沟道 PowerTrench MOSFET 80V, 120A, 5.3mΩ
FDP053N08B是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDP053N08B是N 沟道 PowerTrench MOSFET 80V, 120A, 5.3mΩ，本站介绍了FDP053N08B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDP053N08B相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDP053N08B - N 沟道 PowerTrench MOSFET 80V, 120A, 5.3mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDP053N08B - 产品描述
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
FDP053N08B - 产品特性
- RDS(on) = 4.2mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 75A
- 低 FOM RDS(on)*QG
- 低反向恢复电荷，Qrr = 62.5nC
- 反向恢复软体二极管
- 使能高效同步整流
- 快速开关速度
- 100% 经过 UIL 测试
- 符合 RoHS 标准
FDP053N08B - 产品应用
- AC-DC商用电源
- AC-DC商用电源-台式计算机
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- 其他数据处理
- 工业级电机
- 电动自行车
以下列出了FDP053N08B相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDP053N08B_F102 | 量产-ROHS：截至2012年1月 | $1.32 |
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