此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

• RDS(on) = 6.85mΩ （典型值）@ VGS = 10V，ID = 75A
• 快速开关速度
• 低栅极电荷，QG = 64.5nC（典型值）
• 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
• 高功率和高电流处理能力
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• AC-DC商用电源-台式计算机
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 不间断电源
• 其他数据处理

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDP083N15A_F102	量产-ROHS：截至2010年9月	$2.57

• FGH40T65SHD - 650 V、40 A 场截止沟道 IGBT
• FSBH0170NY_F116 - 用于 13 W 离线反激式转换器的 700 V 集成电源开关，100 kHz，提供通电/欠压保护
• RURD420S - 4 A、200 V 超快速二极管
• FAN6862R - 用于 65 KHz 反激式转换器的 6 引脚绿色模式 PWM 控制器
• SMCJ48CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
• FCH130N60 - N 沟道 SuperFET II MOSFET
• FQPF6N80C - N 沟道 QFET MOSFET 800V, 5.5A, 2.5Ω
• KSB834W - PNP外延硅晶体管
• FGA4060ADF - 600 V、40 A 场截止沟道 IGBT
• FMS6143A - VoltagePlus 三通道六阶SD视频滤波驱动器