UniFETTMIIMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于先进平面条形和DMOS技术。该先进MOSFET系列在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETIIMOSFET产品可承受超过2kV的HBM冲击应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

• RDS(on) = 460mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 5.75A
• 低栅极电荷（典型值 23nC）
• 低 Crss（典型值 14pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 改进了 ESD 防护能力
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDP12N50NZ	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.18

• FGA30N60LSD - 600V, 30A, PT IGBT
• FDD5N50 - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，4A，1.4Ω
• QSE113 - 塑料硅红外光电晶体管
• FDMF6820B - 超小型、高性能、高频DrMOS模块
• FAN8841 - 双通道半桥式压电驱动器及升压 DC-DC 转换器
• FDS6298 - 30V N沟道快速开关PowerTrench MOSFET
• P6KE13CA - 600W瞬态电压抑制二极管
• SMCJ90A - 1500W瞬态电压抑制二极管
• MM3Z4V3C - 4.3V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
• FDT86106LZ - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。