仙童半导体官网，Fairchild代理商
Fairchild(仙童半导体,ONSEMI安森美)产品型号搜索：
专营Fairchild（仙童半导体，ONSEMI安森美）元器件，强大的现货交付能力，解决您的采购难题
全流程提供Fairchild（仙童半导体，ONSEMI安森美）现货供应链服务
当前位置：仙童半导体代理 > > 仙童半导体芯片 >> FDP12N60NZ
FDP12N60NZ技术文档下载：
FDP12N60NZ技术文档产品手册下载
Fairchild仙童半导体芯片：
承诺原装正品
专营Fairchild仙童半导体，真正优化您的供应链
Fairchild产品 - FDP12N60NZ介绍

FDP12N60NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 12A, 650mΩ

FDP12N60NZ是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDP12N60NZ是N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 12A, 650mΩ，本站介绍了FDP12N60NZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDP12N60NZ相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDP12N60NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 12A, 650mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDP12N60NZ - 产品描述

UniFETTMIIMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该先进MOSFET系列产品在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETIIMOSFET产品可承受超过2kV的HBM冲击应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

FDP12N60NZ - 产品特性
  • RDS(on) = 530mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 6A栅极电荷低（典型值：26nC)
  • 低 Crss（典型值12pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 性能
  • 改进了 ESD 防护能力
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDP12N60NZ - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDP12N60NZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDP12N60NZ量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.32
    下面可能是您感兴趣的仙童半导体公司MOSFET元器件
    节约时间成本，提高采购效率，Fairchild官网授权代理
    Fairchild公司|Fairchild仙童半导体|ONSEMI安森美中国代理商
    Fairchild公司产品现货专家，订购仙童半导体公司产品不限最低起订量，ONSEMI安森美产品大陆现货即时发货，香港库存3-5天发货，海外库存7-10天发货
    寻找全球Fairchild代理商现货货源 - Fairchild公司（ONSEMI安森美）电子元件在线订购