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Fairchild产品 - FDP18N20F介绍

FDP18N20F - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 200V，18A，140mΩ

FDP18N20F是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDP18N20F是N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 200V，18A，140mΩ，本站介绍了FDP18N20F的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDP18N20F相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDP18N20F - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 200V，18A，140mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDP18N20F - 产品描述

UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFETFRFETMOSFET体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其trr小于100nsec且反向dv/dt抗扰度为15V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，它在MOSFET体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

FDP18N20F - 产品特性
  • RDS(on) = 120mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 9A
  • 低栅极电荷（典型值 20nC）
  • 低 Crss（典型值 24pF）
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDP18N20F - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDP18N20F相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDP18N20F量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.7426
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