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Fairchild产品 - FDP39N20介绍

FDP39N20 - N 沟道 UniFETMOSFET 200 V, 39 A, 66 mΩ

FDP39N20是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDP39N20是N 沟道 UniFETMOSFET 200 V, 39 A, 66 mΩ，本站介绍了FDP39N20的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDP39N20相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDP39N20 - N 沟道 UniFETMOSFET 200 V, 39 A, 66 mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDP39N20 - 产品描述

UniFETTMMOSFET是飞兆半导体公司的高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术开发。该MOSFET产品专用于降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

FDP39N20 - 产品特性
  • RDS(on) = 66 mΩ（最大值），需 VGS = 10 V、ID = 19.5 A
  • 低栅极电荷（典型值 38 nC)
  • 低Crss（典型值 57 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDP39N20 - 产品应用
    以下列出了FDP39N20相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDP39N20量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.2
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