此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。

这些MOSFET与其他具有可比RDS(on)规格的MOSFET相比，具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，从而产生整体效率更高的DC/DC电源设计。

• 40 A，30 V
• RDS(ON) = 0.018 Ω @ VGS = 10 V
• RDS(ON) = 0.024 Ω @ VGS = 4.5 V
• 在高温下指定的临界DC电气参数。
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON).
• 175°C最大结温额定值。

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDP6030BL	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.12

• MMBT4124 - NPN通用放大器
• SB380 - 肖特基二极管
• FS8J - 8 A 标准恢复表面贴装整流器
• FSQ0370RNA - 频率为 100 kHz 的 700 V 集成电源开关，用于 19 W 离线反激式转换器
• GBU6A - 6 A 桥式整流器
• FDMS8680 - 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
• PZT2222A - NPN通用放大器
• FDP42AN15A0 - N 沟道 Power Trench MOSFET 150 V、35 A、42 mΩ
• KA393A - Dual Comparator
• P6KE9V1CA - 600W瞬态电压抑制二极管