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Fairchild产品 - FDP65N06介绍

FDP65N06 - 60V N沟道MOSFET，UniFET

FDP65N06是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDP65N06是60V N沟道MOSFET，UniFET，本站介绍了FDP65N06的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDP65N06相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDP65N06 - 60V N沟道MOSFET，UniFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDP65N06 - 产品描述

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产而成。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻、提供卓越开关性能以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

FDP65N06 - 产品特性
    65A，60V，RDS(on) = 0.016Ω ，VGS = 10 V 低栅极电荷（典型值132nC） 低Crss（典型值36pF） 快速开关 更强的dv/dt能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDP65N06 - 产品应用

    • 其他工业

    以下列出了FDP65N06相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDP65N06量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.8568
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