此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。已针对低栅极电荷、低rDS(ON)和高速开关进行了优化。

• 60 A，30 V
• RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V
• RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5 V
• 在高温下指定的临界DC电气参数
• 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
• 175°C最大结温额定值

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDP7030BL	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.57

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