UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFETFRFETMOSFET体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其trr小于100nsec且反向dv/dt抗扰度为15V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，它在MOSFET体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

• RDS(on) = 120mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 9A栅极电荷低（典型值：20nC)
• 低 Crss（典型值24pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDPF18N20FT	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$0.8568
PCFD18N20W	量产（特殊订单）-ROHS	不适用

• RFD16N06LESM - 60V、16A、47mΩ、N沟道逻辑电平Power MOSFET
• FODM611 - 高抗噪能力、5V、10Mbit/sec逻辑门输出（开路集电极）光电耦合器
• FSUSB30 - 低功率2端口高速USB 2.0 (480 Mbps)开关
• FAN3228C_F085 - 双通道 2 A 高速，低端栅极驱动器
• BAV99 - 200 mA 70 V 高导通超快速开关二极管
• FAN3122C_F085 - 单通道 9 A 高速，低端栅极驱动器
• SS19 - 肖特基势垒整流器为1.0A
• FDPF16N50T - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，16A，380 mΩ
• FQP65N06 - N 沟道 QFET MOSFET 60V, 65A, 16mΩ
• FJN4301R - 带偏置电阻的 PNP 外延硅晶体管