UniFETTMIIMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该先进MOSFET系列产品在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETIIMOSFET产品可承受超过2kV的HBM冲击应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

• RDS(on) = 1.9Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 1.9A栅极电荷低（典型值：8.3nC)
• 低 Crss（典型值3.7pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能
• 改进了 ESD 防护能力
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDPF4N60NZ	量产-ROHS：截至2011年9月	$0.714

• NC7WV17 - TinyLogic ULP-A 双通道缓冲器（带施密特触发器输入）
• BSS138W - 50V N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
• MBRS130 - 30V/1.0A/VF = 0.6V 肖特基势垒整流器
• FZT790A - PNP低饱和晶体管
• 74LCX11 - 低压三路3输入与门（5V容许输入电压）
• FDL100N50F - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 500V，100A，55mΩ
• FSV15150V - 15 A、150 V 超低 VF 肖特基整流器
• ISL9K460P3 - 8 A、600 V STEALTH 双二极管
• FCB36N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 25A, 125mΩ
• FQP30N06 - N 沟道 QFET MOSFET 600V，30A，40mΩ