UniFETTMIIMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于先进平面条形和DMOS技术。该先进MOSFET系列在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETIIMOSFET产品可承受超过2kV的HBM冲击应力。UniFETIIFRFETMOSFET体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其trr小于100nsec且反向dv/dt抗扰度为15V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，它在MOSFET体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

• RDS(on) = 1.57Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 2.1A
• 低栅极电荷（典型值 9nC）
• 低 Crss（典型值 4pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 处理能力
• 改进了 ESD 防护能力
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDPF5N50NZF	量产-ROHS：截至2010年1月	$0.7283

• FQPF10N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600 V、9.5 A、730 mΩ
• FDZ371PZ - -20V P沟道1.5 V额定PowerTrench薄型WL-CSP MOSFET
• FDM3622 - 100V N沟道UltraFET沟道MOSFET
• BD140 - PNP外延硅晶体管
• FQD3P50 - P-Channel QFET MOSFET -500V, -2.1A, 4.9Ω
• HGTG20N60A4D - 600V, SMPS IGBT
• 74LVTH2245 - 低压八路双向收发器带3态输入/输出，在B端口输出内带25 Ohm串联电阻
• FMB3904 - NPN多芯片通用放大器
• 74LCX16501 - 18位通用总线收发器，带5V容差输入和输出
• FDS4488 - 30V N 沟道 PowerTrench MOSFET