UniFETTMIIMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于先进平面条形和DMOS技术。该先进MOSFET系列在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETIIMOSFET产品可承受超过2kV的HBM冲击应力。UniFETIIUltraFRFETTMMOSFET有很多出色的体二极管反向恢复性能。其trr小于50nsec且反向dv/dt抗扰度为20V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，UniFETIIUltraFRFETMOSFET在要求MOSFET体二极管性能改进的某些应用可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

• RDS(on) = 1.7Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 1.95A
• 低栅极电荷（典型值 9nC）
• 低 Crss（典型值 4pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 处理能力
• 改进了 ESD 防护能力
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDPF5N50NZU	量产-ROHS：截至2010年2月	$0.7854

• FDMC4435BZ - -30V P-Channel Power Trench MOSFET
• KSH41C - NPN外延硅晶体管
• FDMT800152DC - N 沟道 DualCool 88 PowerTrench MOSFET 150 V、72 A、9.0 mΩ
• GBPC2506 - 25 A 桥式整流器
• S3M - 3.0A通用整流器
• NC7SZ14 - 带施密特触发器输入的TinyLogic UHS反相器
• FDS6298 - 30V N沟道快速开关PowerTrench MOSFET
• HMHAA280 - 4 引脚半间距 MFP AC 输入光电晶体管输出光电耦合器
• FGH60N60SFD - 600V，60A，场截止IGBT
• HCPL0637 - 10MBit/s逻辑双通道高性能光电耦合器