UniFETTMIIMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于先进平面条形和DMOS技术。该先进MOSFET系列在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETIIMOSFET产品可承受超过2kV的HBM冲击应力。UniFETIIUltraFRFETTMMOSFET有很多出色的体二极管反向恢复性能。其trr小于50nsec且反向dv/dt抗扰度为20V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，UniFETIIUltraFRFETMOSFET在要求MOSFET体二极管性能改进的某些应用可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

• RDS(on) = 1.7Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 1.95A
• 低栅极电荷（典型值 9nC）
• 低 Crss（典型值 4pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 处理能力
• 改进了 ESD 防护能力
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDPF5N50NZU	量产-ROHS：截至2010年2月	$0.7854

• 74VHC245 - 带 3 态输出的八通道双向收发器
• SMCJ100CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
• MM3Z8V2C - 8.2V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
• KSH29C - NPN外延硅晶体管
• MMBF5460 - P-沟道通用放大器
• SG6848X1 - 用于反激式转换器的绿色模式 PWM 控制器，频率高达 50 KHz 至 100 KHz
• BCX19 - NPN中等功率晶体管
• BC559 - PNP外延硅晶体管
• BZX84C7V5 - 7.5V、0.35W齐纳二极管
• SMBJ75CA - 600W瞬态电压抑制二极管