UniFETTMIIMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于先进平面条形和DMOS技术。该先进MOSFET系列在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETIIMOSFET产品可承受超过2kV的HBM冲击应力。UniFETIIFRFETMOSFET体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其trr小于100nsec且反向dv/dt抗扰度为15V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，它在MOSFET体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

• RDS(on) = 850mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 3.25A
• 低栅极电荷（典型值 14nC）
• 低 Crss（典型值 5pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 处理能力
• 改进了 ESD 防护能力
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDPF8N50NZF	量产-ROHS：截至2010年2月	$0.8997

• MC78M05 - 三端0.5A正压稳压器
• QSE256 - 塑硅光电逻辑光电传感器
• FPF1038 - 低导通电阻、压摆率控制负载开关
• 4N29M - 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器
• FSB50250 - Motion SPM 5 系列
• FDP80N06 - N 沟道 UniFET MOSFET 60 V、80 A、10 mΩ
• MMBZ5238B - 8.7V 350mW 5%齐纳管，ZENER
• KSE13003 - NPN芯片晶体管
• FDP030N06 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 60V, 193A, 3.2mΩ
• FDP20N50 - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，20A，230 mΩ