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Fairchild产品 - FDPF8N50NZU介绍

FDPF8N50NZU - N 沟道 UniFET II Ultra FRFET MOSFET 500V, 6.5A, 1.2Ω

FDPF8N50NZU是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDPF8N50NZU是N 沟道 UniFET II Ultra FRFET MOSFET 500V, 6.5A, 1.2Ω，本站介绍了FDPF8N50NZU的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDPF8N50NZU相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDPF8N50NZU - N 沟道 UniFET II Ultra FRFET MOSFET 500V, 6.5A, 1.2Ω - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDPF8N50NZU - 产品描述

UniFETTMIIMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该先进MOSFET系列产品在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETIIMOSFET产品可承受超过2kV的HBM冲击应力。UniFETIIUltraFRFETTM具有非常卓越的体二极管反向恢复性能。其trr小于50nsec且反向dv/dt抗扰度为20V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，UniFETIIUltraFRFETMOSFET在要求MOSFET体二极管性能改进的某些应用可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

FDPF8N50NZU - 产品特性
  • RDS(on) = 1.0Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 3.25A栅极电荷低（典型值：14nC)
  • 低 Crss（典型值5pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 性能
  • 改进了 ESD 防护能力
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDPF8N50NZU - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDPF8N50NZU相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDPF8N50NZU量产-ROHS：截至2010年1月$0.9425
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