UniFETTMIIMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该先进MOSFET系列产品在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETIIMOSFET产品可承受超过2kV的HBM冲击应力。UniFETIIUltraFRFETTM具有非常卓越的体二极管反向恢复性能。其trr小于50nsec且反向dv/dt抗扰度为20V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，UniFETIIUltraFRFETMOSFET在要求MOSFET体二极管性能改进的某些应用可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

• RDS(on) = 1.0Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 3.25A栅极电荷低（典型值：14nC)
• 低 Crss（典型值5pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能
• 改进了 ESD 防护能力
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDPF8N50NZU	量产-ROHS：截至2010年1月	$0.9425

• FGH20N60SF_F085 - 600 V、20 A、1.9 V、TO-247场截止 IGBT
• MMBZ5233B - 5.6V 350mW 5%齐纳管，ZENER
• FAN6863L - 用于 65 KHz 反激式转换器的 6 引脚绿色模式 PWM 控制器
• BAW76 - 高电导快速二极管
• BD136 - PNP外延硅晶体管
• FCD1300N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET
• FDP036N10A - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V, 214A, 3.6mΩ
• FSL137MRIN - 具有线路 OVP 和异常 OCP 功能的 700 V 集成电源开关，用于 20 W 离线反激式转换器
• FDB8441_F085 - 40 V、80 A、1.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench
• FDPF13N50FT - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 500V，12A，540mΩ