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FDS2672_F085 - 200 V、3.9 A、59 mΩ、SO-8N 沟道 UltraFET Trench
FDS2672_F085是Fairchild公司的一款车用N沟道MOSFET产品，FDS2672_F085是200 V、3.9 A、59 mΩ、SO-8N 沟道 UltraFET Trench，本站介绍了FDS2672_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS2672_F085相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDS2672_F085 - 200 V、3.9 A、59 mΩ、SO-8N 沟道 UltraFET Trench - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - Fairchild（仙童半导体）
FDS2672_F085 - 产品描述
此单N沟道MOSFET采用飞兆半导体公司先进的UItraFETTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
FDS2672_F085 - 产品特性
- 最大 rDS(on) = 70 mΩ（VGS = 10 V、ID = 3.9 A）
- 最大 rDS(on) = 80 mΩ（VGS = 6 V、ID = 3.5 A）
- 快速开关速度
- 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准
FDS2672_F085 - 产品应用
- 人体电子
- 传动系
- 便携导航
- 信息娱乐
- 其他
- 其他车用
- 安全和控制
- 舒适与便捷
- 车辆安全系统
以下列出了FDS2672_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDS2672_F085 | 量产-ROHS：截至2009年12月 | $1.01 |
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