此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

• 6.5 A, 80 V
• RDS(on) = 39 mΩ（VGS = 10 V 时）
• RDS(on) = 44 mΩ（VGS = 6 V）
• 低栅极电荷
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
• 高功率和高电流处理能力

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDS3590	量产-ROHS：截至2014年10月	$1.22

• SMBJ120CA - 600W瞬态电压抑制二极管
• FAN7383 - 625 V、0.65/0.35 A 灌电流/源电流、具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动
• FCD600N60Z - N 沟道 SuperFETII MOSFET 600 V、7.4 A、600 mΩ
• LM7909 - 三端 1 A 负压稳压器
• FDP5N60NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 4A, 2Ω
• KA7915 - 三端 1 A 负压稳压器
• ISL9V2540S_F085 - 430 V、15 A、1.77 V、250 mJ、D2PAKEcoSPARK I、N 沟道点火 IGBT
• FDC6392S - -20V集成式P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管
• DF08S2 - 桥式整流器
• FGA6530WDF - 650 V、30 A 场截止沟道 IGBT