此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

• 6.5 A, 80 V
• RDS(on) = 39 mΩ（VGS = 10 V 时）
• RDS(on) = 44 mΩ（VGS = 6 V）
• 低栅极电荷
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
• 高功率和高电流处理能力

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDS3590	量产-ROHS：截至2014年10月	$1.22

• FCH190N65F - N 沟道 SuperFET II FRFET MOSFET
• MM3Z36VC - 36.0V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
• FODM3053_NF098 - 600V任意相位三端双向可控硅开关驱动器5mA
• FQPF65N06 - N 沟道 QFET MOSFET 60V，40A，16mΩ
• SG6846B - 用于 65 KHz 反激式转换器的绿色模式 PWM 控制器，提供 2-级过流保护
• FJP5027 - NPN芯片晶体管
• FCPF380N60 - N 沟道 SuperFETII MOSFET 600V、10.2A、380mΩ
• FDMT800152DC - N 沟道 DualCool 88 PowerTrench MOSFET 150 V、72 A、9.0 mΩ
• FJPF3305 - NPN芯片晶体管
• FCD620N60ZF - N 沟道 SuperFETII FRFET MOSFET 600V、7.3A、620mΩ