这些双N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

Q1： N沟道

• 最大值 RDS(on) = 26mΩ（VGS = 10V，ID = 6.1A
）
• 最大值 RDS(on) = 31mΩ（VGS = 4.5V，ID = 5.6A

）Q2： P沟道

• 最大值 RDS(on) = 39mΩ（VGS = -10V，ID = -5.2A
）
• 最大值 RDS(on) = 65mΩ（VGS = -4.5V，ID = -4.1A
）
• 100%经过UIL测试
• 符合RoHS标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDS4897AC	量产-ROHS：截至2014年10月	$0.363

• FAN5404 - 符合USB规范的单体锂离子开关充电器（带USB-OTG升压调节器）
• 1N4936 - 1.0A快速恢复整流器
• 1N916B - 小信号二极管
• MJD340 - NPN外延硅晶体管
• P6KE43A - 600W瞬态电压抑制二极管
• FQD13N10L - N 沟道 QFET MOSFET 100V，10A，180mΩ
• LL4148 - 小信号二极管
• NC7SV57 - TinyLogic ULP-A通用可配置2输入逻辑门
• FDMF6820A - 超小型、高性能、高频DrMOS模块
• FSL136MR - 具有 67 kHz 频率和可调电流限制的 650 V 集成电源开关，用于 20 W 离线反激式转换器