这些双N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

Q1： N沟道

• 最大值 RDS(on) = 26mΩ（VGS = 10V，ID = 6.1A
）
• 最大值 RDS(on) = 31mΩ（VGS = 4.5V，ID = 5.6A

）Q2： P沟道

• 最大值 RDS(on) = 39mΩ（VGS = -10V，ID = -5.2A
）
• 最大值 RDS(on) = 65mΩ（VGS = -4.5V，ID = -4.1A
）
• 100%经过UIL测试
• 符合RoHS标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDS4897AC	量产-ROHS：截至2014年10月	$0.363

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