此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

• VGS = -10V，ID = -13A时，rDS(on) = 9.3 mΩ（最大值）
• VGS = -4.5V，ID = -11A时，rDS(on) = 14.8 mΩ（最大值）
• 扩展了VGS范围(-25V)，适合电池应用
• HBM静电放电保护等级，典型值为6KV（注3）
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
• 高功率和高电流处理能力
• 高功率和高电流处理能力

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDS6679AZ	量产-ROHS：截至2015年1月	$0.56
PCF6679AZW	量产（特殊订单）-ROHS	不适用

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